GaN/氮化鎵 - MGZ31N65

產品介紹

GaN，中文名：氮化鎵，常溫常壓下是纖鋅礦結構。是現今半導體照明中藍光發(fā)光二極管的核心材料。工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設備來外延生長。

GaN半導體材料有二種基本結構:纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB)。常溫常壓下惟有纖鋅礦結構為穩(wěn)定相。纖鋅礦結構由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c/8 套構而形成，所屬空間群為或P63mc。

一、GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的特性：

650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
非常低的QRR
減少交叉損失
符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝

二、GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的應用：

電源適配器

低功耗SMPS

照明設備